MemSilicon完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片

MemSilicon宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度RRAM芯片“泰山一号”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns。这一突破实现了大容量、高密度与高速读取的协同优化，为片上新型非易失存储应用提供了解决方案。