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工信部“十五五”规划提及阻变存储器
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AI 综述
工信部在发布的“十五五”规划中明确提及阻变存储器（RRAM），将其列为重点发展的新型存储技术之一，旨在推动我国在下一代非易失性存储领域的自主可控与技术创新。该规划强调了RRAM在高密度、低功耗及快速读写方面的潜力，鼓励产学研协同攻关关键工艺与架构设计。随着政策引导加强，国内相关企业加速布局研发。2026年10月，MemSilicon宣布完成国际首款基于1T4R结构的1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片，采用28nm CMOS工艺，实现30Mb/mm²高密度与小于20ns访问延时，标志着我国在RRAM工程化应用上取得重要突破。
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最新进展10月14日 14:24
MemSilicon完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- 量子位MemSilicon完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片
MemSilicon宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度RRAM芯片“泰山一号”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns。这一突破实现了大容量、高密度与高速读取的协同优化，为片上新型非易失存储应用提供了解决方案。
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